Samsung kondigt eerste ontwerptools aan voor 3nm Gate-All-Around-proces (Hardware.info Nieuws)

Samsung heeft eerder deze week de eerste ontwerptools voor zijn toekomstige 3nm process vrijgegeven. Daarmee is Samsung er erg vroeg bij, maar dat moet ook wel, de hele transistorstructuur gaat overhoop. Waar tot en met 5nm het bedrijf in ieder geval nog van verticale FinFET's gebruik maakt, moet bij 3nm de gate het kanaal volledig omringen voor maximaal contactoppervlak. Even een stapje terug: Rond de 20 nanometer liepen fabrikanten tegen het probleem aan dat het oppervlakte tussen de gate en...