Samsung's HBM2e is 33% sneller met 410 GB/s per stack (Hardware.info Nieuws)

Naast nieuw ddr4-geheugen heeft Samsung deze week ook sneller hbm2-geheugen aangekondigd. De hbm2e-chips hebben een dubbele capaciteit en bieden 33% meer bandbreedte per stack.  Onder codenaam Flashbolt is de capaciteit van de hbm2e-die verdubbelt naar 16 gigabit. Acht lagen hoog gestapeld resulteert dit in een package van 16 GB, het dubbele van de vorige generatie. Het geheugen is nu 33% sneller en biedt 3,2 Gb/s per pin, goed voor 409,6 GB/s per stack. De aankondiging vond plaats op Nvidia´s...