Intel en Samsung beschrijven MRAM-technologie voor embedded toepassingen, MRAM wordt steeds interessanter (Hardware.info Nieuws)

Intel en Samsung beschreven vorige week op het International Electron Devices Meeting, kortweg IEDM, de ontwikkelingen op het gebied van mram. Zo zou Intel de technologie genaamd spin-transfer-torque-mram (stt-mram) baseren op zijn 22 nanometer grote finfet low power-procedé. Het geheugen zou 'klaar voor productie zijn', en meerdere bronnen schijnen te zeggen dat het geheugen al in meerdere producten wordt gebruikt die nu verkocht zullen worden. Bij HardOCP gaat het gerucht dat dit om producten...